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AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

AMD AE34G2139U2 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

总分
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AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G2139U2 4GB 需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 56
    左右 -70% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 7.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.1 left arrow 5.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    56 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    7.4 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    5.6 left arrow 14.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1462 left arrow 3214

AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较

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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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