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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
34
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
23
读取速度,GB/s
16.0
18.0
写入速度,GB/s
10.3
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3327
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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