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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
44
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
44
读取速度,GB/s
18.1
14.9
写入速度,GB/s
11.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3040
2191
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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