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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
37
读取速度,GB/s
11.4
14.0
写入速度,GB/s
7.4
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2327
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
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