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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
66
左右 -78% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
37
读取速度,GB/s
16.1
12.0
写入速度,GB/s
8.3
6.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1810
1878
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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