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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
12.1
18.0
写入速度,GB/s
8.6
16.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3779
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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