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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,796.5
17.4
写入速度,GB/s
2,001.3
14.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
3138
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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