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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14200
左右 1.8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.9
20.6
写入速度,GB/s
9.6
14.7
内存带宽,mbps
14200
25600
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
3367
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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