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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
17.8
写入速度,GB/s
10.9
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3091
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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