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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
49
读取速度,GB/s
17.4
10.9
写入速度,GB/s
10.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2413
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teclast TLD416G26A30 16GB
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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