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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
16.8
写入速度,GB/s
10.9
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2726
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Mushkin 991586 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
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