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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
16.4
16.5
写入速度,GB/s
10.5
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
3083
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
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