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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
15.5
写入速度,GB/s
11.5
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2202
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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