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Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
比较
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
总分
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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规格
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Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
11.1
17.9
写入速度,GB/s
8.6
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2082
3356
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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