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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.6
18.5
写入速度,GB/s
7.7
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
3540
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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