RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
101
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
101
读取速度,GB/s
13.1
14.2
写入速度,GB/s
8.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
1399
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link