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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,025.3
21.7
写入速度,GB/s
2,107.0
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3806
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
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