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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

总分
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB 需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 37
    左右 -23% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 3473

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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Mushkin 994083 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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