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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

总分
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

总分
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 30
    左右 7% 更低的延时
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16 left arrow 11.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.7 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1578 left arrow 3026

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内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
内存RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
内存RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
内存RAM