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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
9.7
15.5
写入速度,GB/s
6.0
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3131
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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