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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3130
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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