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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
16.7
16.0
写入速度,GB/s
10.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2709
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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