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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
52
读取速度,GB/s
16.7
10.3
写入速度,GB/s
10.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2390
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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