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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2897
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
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