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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3457
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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