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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 72
    左右 40% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB 需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 72
  • 读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 1731

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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