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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
43
左右 -153% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
17
读取速度,GB/s
14.9
22.1
写入速度,GB/s
9.6
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3847
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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