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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3279
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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