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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.1
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 59
    左右 -127% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 11.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2646

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较

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Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology C 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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