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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
36
读取速度,GB/s
4,605.9
15.5
写入速度,GB/s
2,451.8
11.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2734
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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