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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
19.8
写入速度,GB/s
2,622.0
14.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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