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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.7
15.5
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2968
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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