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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
39
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
34
读取速度,GB/s
11.7
16.5
写入速度,GB/s
7.2
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
3193
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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