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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
68
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
1,869.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
64
68
读取速度,GB/s
4,477.7
4,402.8
写入速度,GB/s
1,869.1
2,013.5
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
701
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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