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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
48
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
32
读取速度,GB/s
8.9
20.4
写入速度,GB/s
5.9
15.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3483
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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