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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
9.3
16.3
写入速度,GB/s
5.9
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2918
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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