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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    60 left arrow 77
    左右 -28% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 60
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 2359

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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