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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
比较
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
总分
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
总分
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
55
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
55
读取速度,GB/s
10.1
19.0
写入速度,GB/s
7.0
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1955
2239
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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