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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2761
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
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Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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