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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
9.0
10.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2490
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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