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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.4
写入速度,GB/s
870.4
15.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3785
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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