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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
53
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
30
读取速度,GB/s
3,726.4
16.4
写入速度,GB/s
1,590.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3148
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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