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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
28
读取速度,GB/s
3,726.4
18.8
写入速度,GB/s
1,590.1
15.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3465
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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