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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
比较
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
总分
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
34
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
22
读取速度,GB/s
13.1
16.7
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2393
3188
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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