RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
66
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2429
2512
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link