RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
94
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3169
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link