RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
94
Rund um -224% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
14.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3353
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link