RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
94
Rund um -309% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
16.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3832
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link