RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
94
Rund um -327% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3122
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link