RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
94
Rund um -169% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3112
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link